فایل PowerPoint (اسلاید ها) مدلسازي تحليلي اثرات کانال کوتاه در ترانزيستورهاي با گيت دو مادهاي احاطه شده در شرايط زير آستانه

    —         —    

ارتباط با ما     —     لیست پایان‌نامه‌ها

... دانلود ...

بخشی از متن فایل PowerPoint (اسلاید ها) مدلسازي تحليلي اثرات کانال کوتاه در ترانزيستورهاي با گيت دو مادهاي احاطه شده در شرايط زير آستانه :


سال انتشار : 1395



تعداد صفحات :20

چکیده مقاله:

در این مقاله با استفاده از مدل پتانسیل دو بعدی بدست آمده و بر اساس مدل تحلیلی ولتاژ آستانه به عنوان ولتاژ گیتی که در اثر آن وارونگیحامل ها در کانال رخ می دهد, به بررسی برخی آثار کانال کوتاه پرداخته شده است. از جمله مهمترین اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورماسفت با گیت دومادهای احاطه شده , تغییرات ولتاژ آستانه، کاهش سد پتانسیل با القای درین و شیب زیر آستانه است. مدلسازی اثراتکانال کوتاه بر مبنای مفهوم کاتد مجازی و در شرایط کاری زیر آستانه انجام گرفته است. به عبارتی کاتد مجازی صفحه ای در امتداد طولکانال است که مینیمم پتانسیل درآن اتفاق می افتد. در این ساختارها به دلیل دومادهای بودن گیت و احاطه شدن کامل کانال با گیت, کنترلمطلوبی روی آثار کانال کوتاه خواهیم داشت.در پایان تطبیق مناسب بین نتایج شبیه سازی و مدل های ارایه شده, صحت مدل ها راتایید می کند.

لینک کمکی